Sivers Semiconductors tillkännager program värt 3,4 MUSD med SemiNex för nästa generations InP-ljuskällor för AI-datacenter
Satsningen fokuserar på högeffektsljuskällor med flera våglängder som krävs för Co-Packaged Optics (CPO) nya arkitekturer för vertikal (scale-up) och horisontell (scale-out) skalning.
KISTA, Sverige, och Danvers, Massachusetts – 13 augusti 2026 – Sivers Semiconductors AB (STO: SIVE), en global ledare inom fotonik och trådlös teknik, samt SemiNex Corporation, en utvecklare av högeffektiva laserdioder i indiumfosfid (InP), DFB-lasrar (Distributed Feedback), optiska halvledarförstärkare (SOA) och lasrar med extern kavitet (ECL), tillkännagav idag ett gemensamt utvecklingsprogram för nästa generations InP-ljuskällor till sammankopplingar i AI-datacenter (Datacenter Interconnects, DCI). Satsningen har ett initialt värde på cirka 3,4 miljoner USD.
Programmet är inriktat på externa högeffektslaserkällor för CPO, DFB-matriser med ett stort antal kanaler för våglängdsmultiplexerade länkar, samt SOA-förstärkarsteg som förlänger den optiska räckvidden i takt med att antalet kanaler ökar. När optiken flyttar från frontpanelen och byggs in direkt i chipkapseln blir effekt per våglängd, verkningsgrad (wall-plug efficiency) och termisk stabilitet avgörande faktorer för hur långt en arkitektur kan skalas upp. Det gör ljuskällan till en fråga om systemdesign snarare än ett enkelt komponentval.
”De avancerade ljuskällor som krävs för nästa generations optiska nätverk i AI-fabriker är lika avgörande som beräkningskraft, minne och kiselfotonikkomponenter”, säger Vickram Vathulya, VD för Sivers Semiconductors. ”Vi värdesätter vårt partnerskap med SemiNex mycket högt för att kombinera våra innovativa tekniker och leverera attraktiva ljuskälleslösningar i stor skala till marknaden.”
”Den optiska infrastrukturen håller på att bli flaskhalsen för hur långt AI-infrastrukturen kan skalas upp. Branschen behöver högre effekt, vid fler våglängder och med högre verkningsgrad – och det går inte att nå dit genom att bara pressa dagens komponenter hårdare”, säger Ronald Moore, vd för SemiNex. ”De framstegen kommer från själva designen och bearbetningen av InP-materialet, och det är exakt där våra två team samarbetar.”
Kundprover och den första produktionsupptrappningen planeras till andra halvåret 2027.
Om Sivers Semiconductors
Sivers Semiconductors är en viktig möjliggörare för en grönare dataekonomi med energieffektiva fotonik- och trådlösa lösningar. Våra differentierade högprecisionslaser- och RF-strålformningstekniker hjälper våra kunder på nyckelmarknader såsom AI-datacenter, SATCOM, försvar och telekom att lösa viktiga prestandautmaningar samtidigt som vi möjliggör betydligt mindre miljöpåverkan. För ytterligare information, besök oss på: www.sivers-semiconductors.com(SIVE:ST).
Om SemiNex Corporation
SemiNex grundades 2003 och har sitt huvudkontor i Greater Boston, Massachusetts. Bolaget utvecklar och tillverkar högpresterande fotonikkomponenter i indiumfosfid (InP), inklusive optiska förstärkare med ultrahög effekt (UHP amplifiers), DFB-lasrar, förstärkningschip (gain chip) och ECL-lasrar. SemiNex samarbetar med ledande teknikbolag för att utveckla kundanpassade, avancerade optiska lösningar för kritiska tillämpningar. För mer information, besök: www.SemiNex.com.
###
Presskontakt:
Tyler Weiland
Shelton Group
+1-972-571-7834
tweiland@sheltongroup.com
Företagskontakt:
Heine Thorsgaard
CFO
ir@sivers-semiconductors.com